機會不等人,所以我已準備好各種機會到來。
電晶體和MOSFET都會有導通損和切換損。
這是電晶體的導通損。
這是MOSFET的導通損,所以常見到MOSFET在SPEC在上有Rds(內阻大小),常見的MOSFET的內阻通常都是mΩ等級的,因為內阻愈大,導通損就愈大。
另外一個就是切換損了,晶體在當開關切換的時後,常常會產生所謂的非理想性,在此時就會產生不必要的損失了,這就是切換損了,當切換頻率愈高,損失就愈高。
切換損的圖片不太對,如果可以看電晶體datasheet上測試電路的“電壓-電流切換曲線(ON to OFF and OFF to ON)“,透過i-v曲線重疊的部份,應該才是其切換損的大小。
切換損的圖片不太對,如果可以看電晶體datasheet上測試電路的“電壓-電流切換曲線(ON to OFF and OFF to ON)“,透過i-v曲線重疊的部份,應該才是其切換損的大小。
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